BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) en IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zijn twee soorten transistors die worden gebruikt om stromen te regelen. Beide apparaten hebben PN-juncties en verschillen in apparaatstructuur. Hoewel beide transistoren zijn, hebben ze aanzienlijke verschillen in kenmerken.
BJT (Bipolaire Junction Transistor)
BJT is een type transistor dat bestaat uit twee PN-overgangen (een knooppunt gemaakt door een p-type halfgeleider en n-type halfgeleider aan te sluiten). Deze twee knooppunten worden gevormd met behulp van drie halfgeleiderstukken in de volgorde P-N-P of N-P-N. Daarom zijn er twee soorten BJT's, bekend als PNP en NPN, beschikbaar.
Drie elektroden zijn verbonden met deze drie halfgeleiderdelen en de middelste draad wordt 'basis' genoemd. Andere twee knooppunten zijn 'emitter' en 'collector'.
In BJT wordt de stroom van de grote collectoremitter (Ic) geregeld door de emitterstroom van de kleine basis (IB), en deze eigenschap wordt gebruikt om versterkers of schakelaars te ontwerpen. Daarom kan het worden beschouwd als een stroomgestuurd apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkercircuits.
IGBT (geïsoleerde poort bipolaire transistor)
IGBT is een halfgeleiderapparaat met drie terminals die bekend staan als 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Het is een type transistor dat een hoger vermogen aankan en een hogere schakelsnelheid heeft waardoor het zeer efficiënt is. IGBT is in de jaren 80 op de markt geïntroduceerd.
IGBT heeft de gecombineerde kenmerken van zowel MOSFET als bipolaire junctietransistor (BJT). Het wordt door een poort aangedreven zoals MOSFET en heeft stroomspanningskenmerken zoals BJT's. Daarom heeft het de voordelen van zowel een hoge stroomverwerkingscapaciteit als een gemakkelijke bediening. IGBT-modules (bestaat uit een aantal apparaten) verwerken kilowatt aan vermogen.
Verschil tussen BJT en IGBT
1. BJT is een stroomgestuurd apparaat, terwijl IGBT wordt aangedreven door de poortspanning
2. Terminals van IGBT staan bekend als emitter, collector en gate, terwijl BJT is gemaakt van emitter, collector en basis.
3. IGBT's zijn beter in belastbaarheid dan BJT
4. IGBT kan worden beschouwd als een combinatie van BJT en een FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT heeft een complexe apparaatstructuur in vergelijking met BJT
6. BJT heeft een lange geschiedenis vergeleken met IGBT
